一种改善N型电池正面镀膜效果的镀膜方法与流程

一种改善n型电池正面镀膜效果的镀膜方法
技术领域
1.本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种改善n型电池正面镀膜效果的镀膜方法。


背景技术：

2.现有技术中，n型电池的正面镀膜方式通常首先需要利用ald设备对非掺杂面进行氧化铝钝化层沉淀，之后经过自动化装载片操作再利用pecvd设备执行氮化硅和氧化硅的沉淀操作。
3.上述方法中的装载片操作是实际生产中极易产生损耗且容易损伤氧化铝薄膜的环节，该操作将影响产品良率和生产效率。


技术实现要素：

4.发明目的针对现有的n型电池正面镀膜工序中的装载片操作容易造成损耗、损伤氧化铝薄膜的问题，本发明提供了一种改善n型电池正面镀膜效果的镀膜方法。
5.技术方案为实现以上目的，本发明采取了以下技术方案。
6.一种改善n型电池正面镀膜效果的镀膜方法，包括以下步骤：s1 将n型电池硅片放置于石墨舟载具上并进舟等待处理；s2 通过第一工艺管在n型电池硅片的正面制备氧化铝层，具体步骤包括s21、s22、s23和s24；s21 沉淀硅源，将tma化学吸附在硅片表面，铺满一层后呈饱和状态tma不再沉淀，此时生成-o-al-键；s22 通入氩气将多余的tma以及副产物吹扫出去；s23 通入笑气并利用射频电源将其电离为等离子体状态，与步骤s21中的铝元素反应生成氧化铝；s24 再次通入氩气将多余的副产物吹扫出去，重复步骤s2以生成5-10nm 的氧化铝层；s3 利用机械抓手将石墨舟抓取出管并放置于第二工艺管的浆料上，直接进舟等待处理；s4 通过第二工艺管在n型电池硅片的正面制备氮化硅层和氧化硅层，具体步骤包括s41和s42；s41 采用pecvd方式，开启等离子电源；s42 通入四氢化硅、氨气和二氧化氮，在n型电池硅片的正面生成70-8-nm的氧化硅层和氮化硅层。
7.步骤s21利用了原子层沉积本身的自限制性和饱和性，可以有效地使硅片表面生
成适量的铝氧键。步骤s22和s24中使用惰性气体氩气，利用了氩气的化学性质的稳定性，有效吹扫的同时不会对反应物产生多余的影响，减少了副产物的生成。
8.进一步地，步骤s2过程中应当将温度控制在150-300℃之间。
9.进一步地，步骤s4过程中应当将温度控制在400-450℃之间。
10.有益效果本发明优化了工序，采用分管法——先后使用第一工艺管和第二工艺管，其间直接使用机械抓手转移石墨舟，避免了装载片操作，有效避免损伤中间步骤制备的氧化铝薄膜，减少了损耗，提高了产品良率和生产效率。
附图说明
11.图1为本发明的步骤示意图。
具体实施方式
12.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明的内容，现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。
实施例
13.一种改善n型电池正面镀膜效果的镀膜方法，包括以下步骤：s1 将n型电池硅片放置于石墨舟载具上并进舟等待处理；s2 通过第一工艺管在n型电池硅片的正面制备氧化铝层，此步骤过程中将温度控制在300℃，具体步骤包括s21、s22、s23和s24；s21 沉淀硅源，将tma化学吸附在硅片表面，铺满一层后呈饱和状态tma不再沉淀，此时生成-o-al-键；s22 通入氩气将多余的tma以及副产物吹扫出去；s23 通入笑气并利用射频电源将其电离为等离子体状态，与步骤s21中的铝元素反应生成氧化铝；s24 再次通入氩气将多余的副产物吹扫出去，重复步骤s2以生成5-10nm 的氧化铝层；s3 利用机械抓手将石墨舟抓取出管并放置于第二工艺管的浆料上，直接进舟等待处理；s4 通过第二工艺管在n型电池硅片的正面制备氮化硅层和氧化硅层，此步骤过程中将温度控制在420℃，具体步骤包括s41和s42；s41 采用pecvd方式，开启等离子电源；s42 通入四氢化硅、氨气和二氧化氮，在n型电池硅片的正面生成70-8-nm的氧化硅层和氮化硅层。
14.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。


技术特征：
1.一种改善n型电池正面镀膜效果的镀膜方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：s1 将n型电池硅片放置于石墨舟载具上并进舟等待处理；s2 通过第一工艺管在n型电池硅片的正面制备氧化铝层，具体步骤包括s21、s22、s23和s24；s21 沉淀硅源，将tma化学吸附在硅片表面，铺满一层后呈饱和状态tma不再沉淀，此时生成-o-al-键；s22 通入氩气将多余的tma以及副产物吹扫出去；s23 通入笑气并利用射频电源将其电离为等离子体状态，与步骤s21中的铝元素反应生成氧化铝；s24 再次通入氩气将多余的副产物吹扫出去，重复步骤s2以生成5-10nm 的氧化铝层；s3 利用机械抓手将石墨舟抓取出管并放置于第二工艺管的浆料上，直接进舟等待处理；s4 通过第二工艺管在n型电池硅片的正面制备氮化硅层和氧化硅层，具体步骤包括s41和s42；s41 采用pecvd方式，开启等离子电源；s42 通入四氢化硅、氨气和二氧化氮，在n型电池硅片的正面生成70-8-nm的氧化硅层和氮化硅层。2.根据权利要求1所述的一种改善n型电池正面镀膜效果的镀膜方法，其特征在于：所述步骤s2过程中应当将温度控制在150-300℃之间。3.根据权利要求1所述的一种改善n型电池正面镀膜效果的镀膜方法，其特征在于：所述步骤s4过程中应当将温度控制在400-450℃之间。

技术总结
本发明公开了一种改善N型电池正面镀膜效果的镀膜方法，包括以下步骤：S1.将N型电池硅片放置于石墨舟载具上并进舟等待处理；S2.通过第一工艺管在N型电池硅片的正面制备氧化铝层；S3.利用机械抓手将石墨舟抓取出管并放置于第二工艺管的浆料上，直接进舟等待处理；S4.通过第二工艺管在N型电池硅片的正面制备氮化硅层和氧化硅层。本发明优化了工序，采用分管法——先后使用第一工艺管和第二工艺管，其间直接使用机械抓手转移石墨舟，避免了装载片操作，有效避免损伤中间步骤制备的氧化铝薄膜，减少了损耗，提高了产品良率和生产效率。提高了产品良率和生产效率。提高了产品良率和生产效率。


技术研发人员：刘迎春 李静
受保护的技术使用者：江苏润阳悦达光伏科技有限公司
技术研发日：2023.01.10
技术公布日：2023/3/21