一种DPC工艺的真空镀膜装置的制作方法

本发明涉及镀膜设备，具体是一种dpc工艺的真空镀膜装置。

背景技术：

1、陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝或氮化铝陶瓷基片表面上的特殊工艺板，利用dpc工艺在表面溅射形成电路。

2、现有技术中公开了申请号为cn202110363182.9的发明创造，名称为一种高性能陶瓷基板制造成型加工工艺，其中对陶瓷基板进行打磨抛光后，提高基板的平整度，并去除基板上的灰尘。

3、但是现有技术中打磨过程，自动化程度低，定位效果差，上料、下料过程的取料麻烦，且对应后续工艺中的镀膜加工，需要人工进行镀膜面的调整，操作步骤麻烦，人工操作效率低。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种dpc工艺的真空镀膜装置，以解决现有技术中的问题。

2、本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

3、一种dpc工艺的真空镀膜装置，真空镀膜装置包括：

4、处理装置，所述处理装置通过托架转动调节陶瓷基板的加工位置，研磨机设置所述处理装置上，用于对陶瓷基板进行减薄处理，托架的一端设有下料件，用于吸附减薄后的陶瓷基板进行移料；

5、上料平台，所述上料平台设置在处理装置一端，用于陶瓷基板的上料；

6、以及，镀膜组件，所述镀膜组件设置在处理装置另一端，用于对减薄的陶瓷基板进行dpc工艺镀膜。

7、进一步的，所述处理装置上转动设有用于陶瓷基板移动的输送辊，位于处理装置出料端的输送辊下方设有烘干组件，处理装置上设有球形槽，球形槽内设有导槽，处理装置上设有弧形圆槽和滑槽，弧形圆槽和滑槽连通。

8、所述弧形圆槽的一侧转动设有第一齿轮，用于控制下料件移动，处理装置内设有与球形槽连通的空槽，空槽内转动设有第一锥齿轮，空槽内设有安装腔。

9、进一步的，所述下料件包括弧形圆杆和托板，弧形圆杆的一侧设有弧形滑杆，托板设置在弧形滑杆的一端，托板上设有若干个吸附孔，用于吸附固定陶瓷基板，弧形滑杆的一侧设有齿圈。

10、所述弧形圆杆与弧形圆槽配合，弧形滑杆与滑槽配合，齿圈与第一齿轮配合。

11、进一步的，所述研磨机包括支架，支架上设有可移动的罩体，罩体内转动设置有环形件，环形件上转动设有第一打磨轮，对陶瓷基板表面进行打磨，环形件内设有弧形杆，弧形杆上转动设有第二打磨轮，第二打磨轮位于相邻的第一打磨轮之间，用于对陶瓷基板进行精细打磨。

12、进一步的，所述托架设置在托举机构上，托架包括竖杆，竖杆的一端设有配合槽，竖杆上固定设有第二锥齿轮，竖杆上设有对称分布的导向杆，竖杆上固定设有半球块，半球块上转动设有第二齿轮，半球块上固定设有对称分布的u形架，u形架内固定设有对称分布的支撑杆。

13、所述支撑杆的一端设有加工台，加工台的侧面设有卡合槽，u形架上固定设有限位块，卡合槽与支撑杆、限位块滑动连接，限位块的一端设有第三齿轮，加工台上设有可移动的推杆，加工台上固定设有轴杆。

14、进一步的，所述导向杆与导槽配合，半球块与球形槽配合，第三齿轮与第二齿轮配合。

15、进一步的，所述托举机构包括两个托举组件，托举组件安装在安装腔内，托举组件上固定设有支柱，支柱上转动设有调节杆，调节杆的一端滑动设有连杆，通过设置在调节杆内的弹簧与连杆连接。

16、所述连杆上转动设有配合杆，配合杆的两端固定设有锁紧块，托架设置在两个托举组件之间，且两个托举组件上的锁紧块相互贴合固定竖杆，利用螺栓对两个贴合锁紧块进行固定。

17、所述配合槽与配合杆配合，锁紧块位于竖杆的两侧。

18、进一步的，所述加工台上转动设有工装组件，工装组件上设有夹板，夹板的一侧设有橡胶垫，用于夹持陶瓷基板，推杆与工装组件转动连接。

19、本发明的有益效果：

20、1、本发明真空镀膜装置，采用自动上、下料的布置，将陶瓷基板进行自动上料至加工台上，通过加工台转动，进行陶瓷基板的位置移动，定位准确，进行打磨处理，对陶瓷基板表面平整度进行控制，便于镀膜加工；

21、2、本发明真空镀膜装置，陶瓷基板下料后，平整的打磨面朝下，进入连续的镀膜组件后，对陶瓷基板进行连续性镀膜，操作简单方便，提高加工效率，制得的陶瓷基板表面膜厚一致，平整度好。

技术特征：

1.一种dpc工艺的真空镀膜装置，其特征在于，真空镀膜装置包括：

2.根据权利要求1所述的一种dpc工艺的真空镀膜装置，其特征在于，所述处理装置(1)上转动设有用于陶瓷基板移动的输送辊(11)，位于处理装置(1)出料端的输送辊(11)下方设有烘干组件，处理装置(1)上设有球形槽(12)，球形槽(12)内设有导槽(17)，处理装置(1)上设有弧形圆槽(13)和滑槽(14)，弧形圆槽(13)和滑槽(14)连通；

3.根据权利要求2所述的一种dpc工艺的真空镀膜装置，其特征在于，所述下料件(4)包括弧形圆杆(41)和托板(43)，弧形圆杆(41)的一侧设有弧形滑杆(42)，托板(43)设置在弧形滑杆(42)的一端，托板(43)上设有若干个吸附孔(44)，用于吸附固定陶瓷基板，弧形滑杆(42)的一侧设有齿圈(45)；

4.根据权利要求1所述的一种dpc工艺的真空镀膜装置，其特征在于，所述研磨机(5)包括支架(50)，支架(50)上设有可移动的罩体(52)，罩体(52)内转动设置有环形件(53)，环形件(53)上转动设有第一打磨轮(55)，对陶瓷基板表面进行打磨，环形件(53)内设有弧形杆(56)，弧形杆(56)上转动设有第二打磨轮(57)，第二打磨轮(57)位于相邻的第一打磨轮(55)之间，用于对陶瓷基板进行精细打磨。

5.根据权利要求2所述的一种dpc工艺的真空镀膜装置，其特征在于，所述托架(6)设置在托举机构上，托架(6)包括竖杆(61)，竖杆(61)的一端设有配合槽(63)，竖杆(61)上固定设有第二锥齿轮(62)，竖杆(61)上设有对称分布的导向杆(64)，竖杆(61)上固定设有半球块(65)，半球块(65)上转动设有第二齿轮(69)，半球块(65)上固定设有对称分布的u形架(661)，u形架(661)内固定设有对称分布的支撑杆(662)；

6.根据权利要求5所述的一种dpc工艺的真空镀膜装置，其特征在于，所述导向杆(64)与导槽(17)配合，半球块(65)与球形槽(12)配合，第三齿轮(672)与第二齿轮(69)配合。

7.根据权利要求5所述的一种dpc工艺的真空镀膜装置，其特征在于，所述托举机构包括两个托举组件(8)，托举组件(8)安装在安装腔(19)内，托举组件(8)上固定设有支柱(83)，支柱(83)上转动设有调节杆(84)，调节杆(84)的一端滑动设有连杆(86)，通过设置在调节杆(84)内的弹簧与连杆(86)连接；

8.根据权利要求5所述的一种dpc工艺的真空镀膜装置，其特征在于，所述加工台(67)上转动设有工装组件(7)，工装组件(7)上设有夹板(72)，夹板(72)的一侧设有橡胶垫，用于夹持陶瓷基板，推杆(682)与工装组件(7)转动连接。

技术总结
本发明公开一种DPC工艺的真空镀膜装置，真空镀膜装置包括：处理装置，处理装置通过托架转动调节陶瓷基板的加工位置，研磨机设置处理装置上，用于对陶瓷基板进行减薄处理，托架的一端设有下料件；上料平台，上料平台设置在处理装置一端，用于陶瓷基板的上料；镀膜组件，镀膜组件设置在处理装置另一端。本发明采用自动上、下料，将陶瓷基板进行自动上料至加工台上，通过加工台转动，进行陶瓷基板的位置移动，定位准确，进行打磨处理，对陶瓷基板表面平整度进行控制，便于镀膜加工，陶瓷基板下料后，平整的打磨面朝下，进入连续的镀膜组件后，对陶瓷基板进行连续性镀膜，操作简单方便，提高加工效率，制得的陶瓷基板表面膜厚一致，平整度好。

技术研发人员：严回,刘波波,余正刚,梁爽,王孟伟
受保护的技术使用者：安徽蓝讯微晶科技有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12